Факторы эффективной генерации электричества в солнечном элементе с наногетеропереходами
(Стр. 119-127)

Подробнее об авторах
Муминов Рамизулла Абдуллаевич академик, доктор физико-математических наук, профессор
Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
г. Ташкент, Республика Узбекистан Имамов Эркин Зуннунович доктор физико-математических наук, профессор; кафедра физики
Ташкентский университет информационных технологий имени Мухаммеда аль-Хорезмий (ТУИТ) Министерства по развитию информационных технологий и коммуникаций Республики Узбекистан
г. Ташкент, Республика Узбекистан Рахимов Рустам Хакимович доктор технических наук; заведующий, лаборатория № 1
Институт материаловедения Академии наук Республики Узбекистан
г. Ташкент, Республика Узбекистан

Нажимая на кнопку купить вы соглашаетесь с условиями договора оферты

Аннотация:
Рассмотрен вопрос об использовании некристаллического кремния в качестве подложки эффективного солнечного элемента. Показано, что создание эффективного солнечного элемента из некристаллического кремния возможно только при больших плотностях локализо­ванных состояний в глубине запрещенной зоны кремния. Показано, что особенно эффективное преобразование солнечной энергии в электричество возможно при сочетании в качестве компонентов гетеропереходов некристаллического кремния и халкогенидов свинца в нано размерном состоянии. Показано, что использование некристаллического кремния в качестве подложки эффективного солнечного элемента возможно только при сочетании его с наноразмерными халкогенидами свинца. Показано, что особенно халкогенидам свинца свойственны проявления эффектов многоэкситонной генерации и умножения носителей. Определены диапазоны проявления эффектов умножения носителей и много экситонной генерации в нановключениях халкогенидов свинца (PbS, PbSe).
Образец цитирования:
Муминов Р.А., Имамов Э.З., Рахимов Р.Х., Аскаров М.А. Факторы эффективной генерации электричества в солнечном элементе с наногетеропереходами // Computational Nanotechnology. 2023. Т. 10. № 1. С. 119-127. DOI: 10.33693/2313-223X-2023-10-1-119-127
Список литературы:
Gremenok V.F., Tivanov M.S., Zalessky V.B. Solar cells based on semiconductor materials. Minsk: Publishing House of the BSU Center, 2007. 222 p.
Gubanov A.I. Quantum-electronic theory of amorphous and liquid semiconductors. Moscow: Publishing House of the USSR Academy of Sciences, 1963.
Mott N., Davis E. Electronic processes in crystalline substances. Moscow: Mir, 1974.
Imamov E.Z., Muminov R.A., Rakhimov R.H. et al. Modeling of electrical properties of a solar cell with many nano-hetero transitions. Computational Nanotechnology. 2022. Vol. 9. No. 4. Pp. 70–77. (In Rus.)
Askarov M.A., Imamov E.Z., Muminov R.A., Ismaylov K.A. Formation of a highly efficient silicon solar cell with nano heterojunctions based on lead chalcogenides. Science and Education in Karakalpakstan. 2022. No. 4-2. Pp. 226–230.
Askarov M.A., Imamov E.Z., Muminov R.A. Formation of a solar cell based on nano heterojunctions. Science and Innovation International Scientific Journal. 2023. Vol. 2. Issue 2. Pp. 226–230. DOI: https://doi.org/10.5281/zenodo.7677363.
Schaller R.D., Klimov V.I. Phys. Rev. Lett. 2004. No. 92. P. 186601.
Klimov V.I. J. Phys. Chem. B. 2006. No. 110. Pp. 16827–16845.
Gusev A.I. Nanomaterials, nanostructures, nanotechnologies. Moscow: Fizmatlit, 2005. 416 p.
Ledentsov N.N., Ustinov V.M., Shchukin V.A. et al. Heterostructures with quantum dots: production, properties, lasers. FTP. 1998. Vol. 32. No. 4. Pp. 385–410.
Prigozhin I.R., Stengers I. Time, chaos, quantum. To solve the paradox of time. Moscow, 2000.
Haken H. Synergetics. Springer, Berlin-Heidelberg, 1997.
Wolf M., Brendel R., Werner J.H., Queisser H.J. J. Appl. Phys. 1998. No. 83. P. 4213.
Ellingson R., Beard M.C., Johnson J.C. et al. Nano Lett. 2005. No. 5. P. 865.
Sun B., Findikoglu A.T., Sykora M. et al. Hybrid photovoltaics based on semiconductor nanocrystals and amorphous silicon // Nano Lett. 2009. Vol. 9. No. 3. Pp. 1235–1241.
Ключевые слова:
некристаллический кремний, умножение носителей, многоэкситонная генерация, локализованное состояние, туннелирование носителей.


Статьи по теме