ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ ДЕТЕКТОРОВ БОЛЬШОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ РАБОЧЕЙ ПЛОЩАДЬЮ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ АКТИВНОСТИ ЕСТЕСТВЕННЫХ ИЗОТОПОВ
(Стр. 151-154)

Подробнее об авторах
Раджапов Сали Аширович доктор физико-математических наук; главный научный сотрудник лаборатории «
Физико-технический институт Научно-производственного объединения «Физика-Солнце» Академии наук Республики Узбекистан
г. Ташкент, Республика Узбекистан Раджапов Бегжан Салиевич старший научный сотрудник
Физико-технический институт НПО «Физика-Солнце» АН РУз Рахимов Рустам Хакимович доктор технических наук; заведующий лабораторией № 1
Karakalpak State University named after Berdakh of the Ministry of Higher and Secondary Specialized Education of the Republic of Uzbekistan
Nukus, Republic Karakalpakstan, Republic of Uzbekistan
Чтобы читать текст статьи, пожалуйста, зарегистрируйтесь или войдите в систему
Аннотация:
В статье рассмотрены вопросы особенностей разработки технологии изготовления поверхностно-барьерных детекторов (ПБД) большого диаметра, а также исследования электрофизических и радиометрических характеристик.
Образец цитирования:
Раджапов С.А., Раджапов Б.С., Рахимов Р.Х., (2018), ОСОБЕННОСТИ ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРЕМНИЕВЫХ ПОВЕРХНОСТНО-БАРЬЕРНЫХ ДЕТЕКТОРОВ БОЛЬШОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОЙ РАБОЧЕЙ ПЛОЩАДЬЮ ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ АКТИВНОСТИ ЕСТЕСТВЕННЫХ ИЗОТОПОВ. Computational nanotechnology, 1 => 151-154.
Список литературы:
Акимов Ю.К. и др. Полупроводниковые детекторы и экспериментальной физики. М.: Энергатомиздат, 1989. 271 с.
Азимов С.А., Муминов Р.А., Шамирзаев С.Х., Яфасов А.Я. Кремний-литиевые детекторы ядерного излучения. Ташкент: Фан, 1981. 257 с.
Раджапов С.А. Особенности физических процессов формирования кремний-литиевого детектора ядерного излучения с большой чувствительной областью // Автореф. дис. д-ра ф.-м. наук. - Ташкент, 2010.
Muminov R.A., Radzhapov S.A., and Saimbetov A.K. Developing Si (Li) Nuclear Radiation Detectors by Pulsed Electric Field Treatment // Technical Physics Letters. New York, 2009. Vol. 35, № 8. Рp. 768-769.
Patent RUz № IAP 04073 Muminov R.A., Radzhapov S.A., Pindyurin Y.S., Saymbetov A.K. Method for manufacturing a Si (Li) pin Structure, 2012.
Ключевые слова:
полупроводниковый поверхностно-барьерный детектор, монокристаллический кремний n-типа, альфа излучение.


Статьи по теме